兩種常見的降低常壓秋葵视频IOS在线免费观看機DBD放電電場的方法
文章導讀：在之前的文章中有向大家介紹DBD常壓秋葵视频IOS在线免费观看機的相關知識，通過選擇具有高能亞穩態粒子的氣體確實能夠降低常壓秋葵视频IOS在线免费观看機DBD放電電場，今天就為大家介紹另外兩種常見的降低DBD放電電場的方法，希望對大家有所幫助：
通過均勻電場的湯生放電自持條件，可以得出γ是陰極的二次電子發射係數。若增大γ，則α可以減小，即滿足上式要求的電場E可以降低。對於DBD，陰極通常被絕緣介質覆蓋，γ應該推廣到氣隙中所有途徑產生的“種子”電子，即放電開始前氣隙中的電子。因此，降低常壓秋葵视频IOS在线免费观看機DBD放電電場的方法就是增加種子電子。通過選擇具有高能亞穩態粒子的氣體能夠有效降低常壓秋葵视频IOS在线免费观看機DBD放電電場，那麽其實還有另外兩種常見的降低DBD放電電場的方法：
一、選擇γ係數大的阻擋介質
一般情況下，γ係數是指金屬陰極的二次電子發射係數。但是對於DBD而言，金屬電極通常被絕緣介質覆蓋，正離子和光子難以直接轟擊陰極而產生二次電子發射。理論研究和實驗研究表明，由於正離子和光子的轟擊，覆蓋陰極的阻擋介質也可能發射二次電子，隻不過這些電子不是來自絕緣介質本身的束縛電子，而是來自阻擋介質表麵淺位阱（<1eV)內的入陷電子。這些入陷電子是在上一個電流脈衝期間從氣隙進入介質表麵淺位阱的。若阻擋介質表麵淺位阱較多，則等效的γ係數也較大。
一般情況下，γ係數是指金屬陰極的二次電子發射係數。但是對於DBD而言，金屬電極通常被絕緣介質覆蓋，正離子和光子難以直接轟擊陰極而產生二次電子發射。理論研究和實驗研究表明，由於正離子和光子的轟擊，覆蓋陰極的阻擋介質也可能發射二次電子，隻不過這些電子不是來自絕緣介質本身的束縛電子，而是來自阻擋介質表麵淺位阱（<1eV)內的入陷電子。這些入陷電子是在上一個電流脈衝期間從氣隙進入介質表麵淺位阱的。若阻擋介質表麵淺位阱較多，則等效的γ係數也較大。
二、平行氣流直達氣隙
DBD研究發現：向放電氣隙吹氣可以明顯地改善放電的均勻程度。但並不是很多人都認識到，吹氣管道不應該僅僅接到放電室為止，而必須進入到放電室內直接抵達放電氣隙，這樣才能提高氣隙中的流速，增大對放電均勻度的影響。
DBD研究發現：向放電氣隙吹氣可以明顯地改善放電的均勻程度。但並不是很多人都認識到，吹氣管道不應該僅僅接到放電室為止，而必須進入到放電室內直接抵達放電氣隙，這樣才能提高氣隙中的流速，增大對放電均勻度的影響。
除此以外，使用高能射線（如紫外射線）照射氣隙也可以增加種子電子。另外，冷卻阻擋介質可能有利於避免介質表麵淺位阱內的入陷電子過早逃逸，這些對獲得大氣壓下均勻放電均有幫助。
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