晶圓表麵等離子處理的原理
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為什麽要去除光刻膠?
眾所周知,光刻膠是半導體晶圓製造的核心材料。在晶圓製程中,光刻工藝約占整個晶圓製造成本的35%,耗時占整個晶圓工藝的40-50%,是半導體製造中最核心的工藝。
在光刻環節裏有個不可或缺的步驟就是晶圓去膠,光刻膠在完成圖形複製和傳遞作用後,晶圓表麵剩餘光刻膠需要通過去膠工藝進行完全清除。
秋葵视频成年人APP污下载的工作原理
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1、表麵清潔
在先進封裝中,PI膠或光刻膠經濕法去膠後,表麵仍然殘留一定的較薄的膠層;而在凸點工藝結束後,需要將下金屬層UBM多餘的部分用濕法刻蝕除去,但是濕法去除並不徹底。通常使用O2 Plasma來去除殘膠,用Ar離子轟擊除去殘留金屬。
2、提高結合力
等離子轟擊晶圓表麵,可以對表麵進行粗化,增加表麵的粗糙度。另一方麵對晶圓表麵進行改性,這兩個措施都能提高基材與沉積膜層的結合力。
3、改善潤濕性
使用等離子處理後的材料,增加了表麵的極性基團,親水性提升,接觸角減小。
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